本发明公开了一种非易失相变的可重构硅基模式转换器及制作方法，包括转换器单元，所述转换器单元包括输入区、转换区、输出区、二氧化硅层、硅衬底层、石墨烯层和氧化膜层，其制作方法包括在晶圆上构筑硅衬底层；在硅衬底层上构筑二氧化硅层；在二氧化硅层上方构筑第一硅波导区、第二波导区和第三波导区；在第一硅波导区内部蚀刻梯形凹槽结构；在梯形凹槽结构中填充相变波导；在第一硅波导区上方覆盖石墨烯层；在石墨烯层上方覆盖氧化膜层，本发明的有益效果为可重构模式转换、状态非易失且转换效率高，损耗低、尺寸小，可扩展性高、器件制造简单。

本发明公开了一种非易失相变的可重构硅基模式转换器及制作方法，包括转换器单元，所述转换器单元包括输入区、转换区、输出区、二氧化硅层、硅衬底层、石墨烯层和氧化膜层，其制作方法包括在晶圆上构筑硅衬底层；在硅衬底层上构筑二氧化硅层；在二氧化硅层上方构筑第一硅波导区、第二波导区和第三波导区；在第一硅波导区内部蚀刻梯形凹槽结构；在梯形凹槽结构中填充相变波导；在第一硅波导区上方覆盖石墨烯层；在石墨烯层上方覆盖氧化膜层，本发明的有益效果为可重构模式转换、状态非易失且转换效率高，损耗低、尺寸小，可扩展性高、器件制造简单。